高二化学试题（答案）
一、单选题
1．D
【详解】A．氢气中只含有氢氢共价键，A 错误；
B．氧化钙含有钙离子、氧离子构成的离子键，B 错误；
C．碘化钾含有碘离子、钾离子构成的离子键，C 错误；
D．过氧化钠含有钠离子和过氧根离子构成的离子键，过氧根中含有氧氧共价键，D 正确。
2．C
【详解】A．根据上述分析可知，Ca 2 数目为 4，F 数目为 8，则氟化钙的化学式为CaF 2，故 A
错误；
B．每个晶胞中含有 4 个Ca 2 ，故 B 错误；
C．氟化钙是由钙离子和氟离子构成的化合物，只含有离子键，故 C 正确；
D．以面心处Ca 2 为研究对象，每个Ca 2 周围距离最近且相等的F 有 8 个，故 D 错误；故选 C。
3．A
【详解】A．N 原子两个电子层，S 三个电子层，电子层数越多，第一电离能越小，即第一电离
能 N>S，A 正确；
B．Fe(SCN)3 是分子晶体，不是离子晶体，B 错误；
C．SCN 与 CO2是等电子体，固它的几何构型为直线型，C 错误；
D．氯化铁是分子晶体，氯化钾为离子晶体，固熔点熔点： FeCl34．B
【详解】A．硝酸钠是离子晶体，熔化时破坏离子键，故 A 错误；
B．晶体硅和金刚石都是原子晶体，熔融时破坏共价键，故 B 正确；
C．冰是分子晶体，熔融时破坏分子间作用力，干冰是分子晶体，熔化时破坏分子间作用力，故 C
错误；
D．苯和四氯化碳都是分子晶体，熔化时破坏分子间作用力，故 D 错误；故选：B。
5．C
【详解】A．MgCl2 中只含有离子键，A 错误；B．NaOH 中含有离子键和极性共价键，B 错误；
C． I2 中只含有非极性共价键，C 正确；D．H2S中只含有极性共价键，D 错误 ；故选 C。
6．B
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【详解】在 N2F2分子中，所有原子均符合 8 电子稳定结构，N 原子形成三个共用电子对，F 原子
形成一个共用电子对，则 N2F2 分子的结构为 F-N=N-F，两个氮原子之间的键为双键，双键中含有
一个σ键和一个π键，则整个分子中含有含有三个σ键和一个π键，故答案为：B。
7．B
【详解】A．AlN 其成键结构与金刚石相似，AlN 晶体属于共价晶体，A 正确；
B．AlN 属于半导体材料，故 AlN 不具有良好的导电性，B 错误；
C．AlN 其成键结构与金刚石相似，故 Al 原子位于 N 原子形成的四面体空隙中，C 正确；
D．金刚石中每个 C 原子与其周围 4 个 C 原子形成共价键，即 C 原子的配位数是 4，由于 AlN 与金
刚石相似，N 原子与其相邻的原子形成 3 个普通共价键和 1 个配位键，则其晶体中所有原子的配位
数也均为 4，D 正确；故选 B。
8．C
【详解】A．Cu 的+1 价最外层电子达到全充满结构(3d10)，所以+1 价稳定，故 A 错误；
1 1
B．此晶体中 Cl 位于顶点和面心，个数为8 6 =4，Cu 位于晶胞内部，个数为 4，Cu 和 Cl
8 2
的原子个数比为 1∶1，化学式为 CuCl，故 B 错误；
C．根据晶胞图可知，1 个 Cu 与 4 个 Cl 相连，因此 Cu 位于 Cl 形成的四面体空隙，故 C 正确；
D．把立方体分为 8 个小立方体，Cu 位于小立方体的体心，Cu 与 Cl 的核间距为小立方体体对角线
3
的一半，即为棱长的 倍，故 D 错误；答案为 C。
4
9．A
1 1
【详解】A．由晶胞结构可知，晶胞中甲烷分子的个数为 8× +6× 2 =4，故 A 正确；8
B．由晶胞结构可知，晶胞中的球只代表 1 个甲烷分子，故 B 错误；
C．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的甲烷分子于位于面心的甲烷分子距离最近，则每个甲烷分
子周围有 12 个紧邻的甲烷分子，故 C 错误；
D．甲烷晶体为分子晶体，熔化时需克服分子间作用力，不需要克服共价键，故 D 错误；故选 A。
10．D
【详解】A．范德华力的实质也是一种电性作用，但是范德华力是分子间较弱的作用力，它不是
化学键，故 A 错误；
B．范德华力为电磁力的一种，且范德华力比化学键弱，故 B 错误；
C．范德华力只对分子晶体的熔沸点有影响，故 C 错误；
D．分子间都存在范德华力，则稀有气体原子之间存在范德华力，故 D 正确；故选：D。
11．B
【详解】A．二氧化碳分子为直线型结构，且碳原子半径大于氧原子半径，其分子模型为
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，A 错误；
B．sp2 杂化轨道是一个 s 轨道和 2 个 p 轨道杂化形成的，杂化轨道间夹角为 120°，呈平面三角形，
sp2 杂化轨道模型为 ，B 正确；
C．H2O2是共价化合物，其电子式为 ，C 错误；
D．图中硅原子最外层电子的电子排布图错误，违背了洪特规则，p 轨道上的两个电子应分别占据
简并轨道，且自旋平行，D 错误；故答案选 B。
12．D
【详解】A．H Cl 的形成过程： ，A 项错误；
B．次氯酸的结构式：H-O-Cl，B 项错误；
C．SO
6 2 3
3的中心原子的价层电子对数为：3 3，VSEPR 模型为平面三角形，C 项错误；2
D．H 原子的未成对电子所在原子轨道为球形，Cl 原子的未成对电子所在原子轨道为哑铃形，氢原
子中的 1s 轨道与氯原子中的 3p 轨道以头碰头的方式以σ键形成氯化氢分子，则用原子轨道描述氯
化氢分子中化学键的形成过程为 ，D 项正确。
13．B
【详解】A．由结构简式可知，有机物分子中单键为σ键，双键中含有 1 个σ键，则 0.2mol 有机物
中含有σ键的数目为 0.2mol×11×NAmol—1=2.2NA，故 A 错误；
B．二氧化硅晶体中每个硅原子与 4 个氧原子形成硅氧共价键，则 3.0g 二氧化硅晶体中硅氧键的数
3.0g
目为 60g/mol ×4×NAmol
—1=0.2NA，故 B 正确；
C．过氧化氢溶液中过氧化氢分子和水分子都含有氢氧键，则无法计算 1L0.1mol/L 过氧化氢溶液中
含有的氢氧键数目，故 C 错误；
D．由题意可知，配合物中中心离子为钴离子，氨分子和氯离子为配体，配位数为 6，则 1mol 配合
物中含有的配位键数目为 1 mol×6×NAmol—1=6NA，故 D 错误；故选 B。
14．C
7+1-2 3
【详解】A．ClO3 的中心 Cl 原子的价层电子对数为 3+ =4，发生 sp3 杂化，分子呈三角2
锥形，A 错误；
B．H2O 分子中的 O 原子，其价层电子对数为 4，中心 O 原子发生 sp3杂化，VSEPR 模型为四面体
形，分子构型才是 V 形，能与 H+形成水合氢离子，该离子中氧提供孤电子对，氢离子提供空轨道
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形成配位键，B 错误；
C．HCHO 分子中 C 原子的价层电子对数为 3，C 原子发生 sp2 杂化，分子呈平面三角形，HCHO 的
结构式为 ，分子中含 3 个σ键和一个π键，C 正确；
D．CH4 为正四面体形分子，中心 C 原子的原子半径虽然比较小，但电负性不强，不能与水分子形
成分子间氢键，D 错误；故选 C。
二、非选择题
15．(1)[Ar]3d104s24p1
(2) sp2 sp3 B-N 键长小于 C-C，键能更大
(3) 或 二
2 336
(4) GaN 10103
2 ρNA
16．（1） sp3 15:2 O>N>C>H
（2）平面正三角形
（3） 分子晶体 [Ar]3d24s2
（4） 4
17．(1) 分子晶体 sp3
(2) 正四面体形 三角锥形
(3) H2S
(4) 3：2 异硫氰酸分子间形成氢键
1 1
(5) (或 )
2 2
18．(1) 3d74s2 N
(2) 正四面体形
(3)3:4
3 1 1
(4)( ， ， )
4 4 4
第 4 页 共 4 页崇德实验中学2022-2023学年高二下学期6月月考
化学试题
可能用到的相对原子质量：H:1 O:16 N:14 Ga:70 Si:28
一、单选题（每题只有一个正确选项，共 14 题，每题 3 分，共 42 分）
1．下列物质既有共价键又有离子键的化合物是（ ）
A．H2 B．CaO C．KI D．Na2O2
2．萤石是制作光学玻璃的原料之一其主要成分氟化钙的晶胞结构如下 图所示。 下列说法正确的是（ ）
A．氟化钙的化学式为 CaF B．每个晶胞中含有 14 个 Ca 2 C．氟化钙中只含有离子键
D．每个 Ca 2 周围距离最近且等距的 F 有 4 个
3．硫氰化铁常被用于电影特技和魔术表演，其制备原理为 FeCl3 3KSCN=Fe(SCN)3 3KCl 。已知 氯化铁固体的熔点为 306℃、沸点为 316℃，易升华。下列说法正确的是（ ）
A．第一电离能： N>S B． Fe(SCN)3 晶体属于离子晶体
C．SCN 的几何构型为 V 形 D．熔点： FeCl3 KCl
4．某种氨化硼晶体具有超硬、耐磨、耐高温等特点。下列各组晶体熔化时克服的粒子间作用力与
该种氮化硼晶体熔化时克服的粒子间作用力都相同的是（ ）
A．硝酸钠和镁 B．晶体硅和金刚石 C．冰和干冰 D．苯和 CCl4
5．下列物质中，只含有非极性共价键的是（ ）
A．MgCl2 B．NaOH C．I2 D．H2S
6．在 N2F2 分子中，所有原子均符合 8 电子稳定结构，则该分子中共价键的键型构成是（ ）
A．仅有三个σ键 B．三个σ键，一个π键
C．一个σ键，一个π键 D．一个σ键，两个π键
7．AlN 属于第三代半导体材料，其成键结构与金刚石相似，晶体中只存在 N-Al 键。下列说法错误 的是（ ）
A．AlN 晶体属于共价晶体 B．AlN 具有良好的导电性
C．Al 原子位于 N 原子形成的四面体空隙中 D．晶体中所有原子的配位数均相同
8．某铜的氯化物常作工业催化剂，其晶胞结构如图所示，晶胞中 C、D 两原子核间距为 298pm。 设阿伏加德罗常数的值为 NA ，则下列说法正确的是（ ）
A．Cu 的+2 价比+1 价稳定
B．此氯化物的化学式为 CuCl2
C．晶胞中 Cu 位于 Cl 形成的四面体空隙
D．Cu 与 Cl 的核间距为棱长的倍
9．甲烷晶体的晶胞结构如图所示，下列说法正确的是（ ） A．1 个 CH 4 晶胞中含有 4 个 CH 4 分子
B．甲烷晶胞中的球代表 1 个 C 原子
C．晶体中 1 个 CH 4 分子周围有 8 个紧邻的 CH 4 分子
D．甲烷晶体熔化时需克服共价键
10．下列关于范德华力的叙述正确的是（ ）
A．是一种较弱的化学键 B．分子间存在的强于化学键的相互作用
C．直接影响所有物质的熔、沸点 D．稀有气体的分子间存在范德华力
11．下列化学用语表示正确的是（ ）
(
2
)A． CO 的分子模型示意图： B．sp2 杂化轨道模型：
C．H2O2 的电子式：
D．硅原子最外层电子的电子排布图：
12．下列化学用语表述正确的是（ ）
A． H Cl 的形成过程：
B．次氯酸的结构式： H Cl O
C．SO3 的 VSEPR 模型：
D．用原子轨道描述氯化氢分子中化学键的形成：
13．设 N A 为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是（ ）
A． 0.2mol 中含有的 σ 键数目为 0.8NA
B．3.0g SiO2 晶体中含有的Si-O 键数目为 0.2NA
C．1 L 0.1 mol L1 H2O2溶液中含有的 H O 键数为0.2NA
D．取 1mol 配合物 Co(NH3)4Cl3 溶于水，加入足量硝酸银溶液，产生 1mol 白色沉淀，沉淀不溶
于稀硝酸，则 1mol 配合物 Co(NH3)4Cl3 中含有的配位键数目为 4N A
14．下列有关分子结构的描述正确的是（ ）
A． ClO3 的空间结构为平面三角形
B． H2O 的 VSEPR 模型为 V 形，能与 H 形成配位键
C． HCHO 分子为平面三角形，分子中 键和键的比值为 3∶1
D． CH 4 为正四面体形分子，能与水分子形成分子间氢键
二、非选择题（共 58 分）
15．半导体晶体是半导体工业的主要基础原料，第一代半导体代表材料是锗 Ge 单晶和硅单晶
Si ，他们的出现实现了超大规模集成电路，第二代砷化镓 GaAs 等化合物半导体制成的激光器成 为光通信系统中的关键器件，氮化硼(BN)、碳化硅 SiC 、金刚石等属于第三代半导体材料，又被 称为高温半导体材料。
(1) Ga 的核外电子排布式为 。
(2)石墨型 (BN) x 转变为金刚石型 (BN)x 时， B 原子的杂化轨道类型由 变为
。金刚石型 (BN) x 的硬度比金刚石大，推测其原因是 。
(3)磷酸和亚磷酸 H3PO3 是磷元素的两种含氧酸。亚磷酸与 NaOH 反应只生成 Na 2 HPO3 和
NaH2 PO3 两种盐，则 H3PO3 的结构式为 ，其为 元酸
(4)右图为 Ga 和 N 形成的某种晶体的晶胞，该晶体也为高温半导体材 料。其中黑色的球为 Ga，白色球为 N，该晶体的化学式为 。
若晶胞密度为 ρg cm3 ，阿伏加德罗常数为 NA，则两个最近的 Ga 之间的
距离为 pm( 列出计算表达式 ) 。
16．天门冬氨酸锌是一种补锌剂，可以用天门冬氨酸()和锌的化合物为原料 制备。
(1)天门冬氨酸分子中氮原子的轨道杂化类型为 ；天门冬氨酸所含σ键和π键的 数目之比为 ；其所含四种元素电负性由大到小的顺序为 。
(2)Zn(NO3)2 中所含 NO3 的空间构型为 。
(3)工业 ZnCl2 中常混有杂质 TiCl4，TiCl4 室温下为无色液体，熔沸 点低，易升华，可溶于甲苯和氯代烃等非极性溶剂中，它的晶体类型 是 _。Ti 的核外电子排布式为 。
(4)ZnO 的晶胞结构如右图所示，Zn2+的配位数为 。
17．Zn 、B、F、V、Cu 、Al 、S 和Se 等原子是生物医药、太阳能电池等领域的理想苂光材料。
回答下列问题：
(1)氯化铝熔点很低，加热容易升华。
固态 AlCl3 的晶体类型是 ，加热升华后以二聚物 Al2 Cl6 形式存在， Al2 Cl6 中铝原子的杂 化形式为 。
（2）已知 BF3 和过量 NaF 作用可生成 NaBF4，BF4 的空间结构为 ；NaBF4 的电子式为
(3)C、N、S 分别与 H 形成的简单氢化物中键角最小的是 。
(4)H、C、N、S 四种元素可形成硫氰酸( H S C N )和异硫氰酸( H N C S )，异硫氰酸分 子中σ键和π键的数目比为 ，异硫请酸沸点较高，原因是 。
(5)原子中运动的电子有两种相反的自旋状态，若一种自旋状态用 表示，与之相反的用 表
示，称为电子的自旋量子数。对于基态 Cu 原子，其价电子自旋磁量子数的代数和为 。
(
3
)18．我国科学家构建了新型催化剂“纳米片”(Co—N—C)，该“纳米片“可用于氧化 SO 2 和吸附
Hg2+。回答下列问题：
(1)基态 Co 原子的价层电子排布式为 ，N、C、Co 中第一电离能最大的是
(填元素符号)。
(2)在空气中 SO32-会被氧化成SO42- 。SO32- 的空间构型是 ，SO42- 中 S 原子采用
杂化。
(3)氰气[(CN)2]称为拟卤素，它的分子中每个原子最外层都达到 8 电子结构，则(CN)2 分子中σ
键、π键个数之比为 。
(4)氮化镓是新型半导体材料，其晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被 N 原子代替，顶 点和面心的碳原子被 Ga 原子代替。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的 位置，称作原子分数坐标。图 2 为沿 y 轴投影的氮化镓晶胞中所有原子的分布图。若原子 1 的原子
分数坐标为（，，），则原子 3 的原子分数坐标为 。
