专题3第二单元离子键离子晶体同步练习(含答案)2022-2023学年下学期高二化学苏教版(2019)选择性必修2

文档属性

名称 专题3第二单元离子键离子晶体同步练习(含答案)2022-2023学年下学期高二化学苏教版(2019)选择性必修2
格式 docx
文件大小 791.5KB
资源类型 教案
版本资源 苏教版(2019)
科目 化学
更新时间 2023-06-18 21:21:26

图片预览

文档简介

专题3第二单元离子键离子晶体同步练习
学校:___________姓名:___________班级:___________考号:___________
一、单选题
1.下列说法中,正确的是
A.冰融化时,分子中氢氧键发生断裂
B.共价晶体中共价键越强,晶体的熔点和沸点越高
C.分子晶体中共价键键能越大,该分子晶体的熔点和沸点一定也越高
D.分子晶体中分子间作用力越大,该物质越稳定
2.碱金属和卤素形成的化合物通常具有的性质是
①能溶于水 ②水溶液能导电 ③熔融状态不导电
A.①② B.②③ C.①③ D.①②③
3.氟在自然界中常以CaF2的形式存在,下列表述正确的是
A.Ca2+与F-间仅存在静电吸引作用
B.F-的离子半径小于Cl-,则CaF2的熔点低于CaCl2
C.阴、阳离子数目比为2:1的物质,均具有与CaF2相同的晶胞结构
D.CaF2中的化学键为离子键,因此CaF2在熔融状态下能导电
4.下列有关离子晶体的说法正确的是
A.离子晶体中一定含有金属元素,含有金属元素的化合物一定是离子晶体
B.离子键只存在于离子晶体中,离子晶体中一定含有离子键
C.离子晶体中不可能含有共价键
D.离子晶体受热熔化破坏化学键,吸收热量,属于化学变化
5.乙炔可用于照明、焊接及切断金属(氧炔焰),也是制造乙醛、醋酸、苯、合成橡胶、合成纤维等的基本原料。乙炔可以用CaC2与水反应制取,CaC2晶体的晶胞结构如图所示,CaC2晶体中由于的存在,使晶胞沿一个方向拉长。下列关于CaC2晶体的描述错误的是
A.CaC2晶体中存在离子键、共价键
B.和距离相等且最近的构成的多面体是正六面体
C.和距离相等且最近的有4个
D.如图所示的结构中共含有4个和4个
6.下列说法正确的是
A.如图是的晶胞示意图
B.已知和晶体结构相似,则比的熔点低
C.晶体铜原子的堆积方式为面心立方堆积,配位数为12
D.铜在氧气中加热生成,热稳定性比强
7.下列关于、的化合物的说法错误的是
A.为离子化合物,可推知也为离子化合物
B.与相比,熔点更高
C.与晶体中的配位数均为8
D.与晶体中离子的配位数不同主要原因是离子半径的差异
8.能说明某晶体属于离子晶体的是
A.易溶于水
B.固态不导电,水溶液能导电
C.有较高的熔点
D.固态不导电,熔融时能导电
9.如图是某化合物的晶体结构,镁原子间形成正六棱柱,且棱柱的上、下底面还各有一个镁原子;6个硼原子位于棱柱侧面上。则该化合物的化学式为
A. B. C. D.
10.下表列出了有关晶体的认识,其中不正确的是
A B C D
晶体 氯化钾 干冰 金刚石 碘
构成晶体的微粒 阴、阳离子 分子 原子 分子
晶体中微粒间存在的作用力 离子键 共价键 共价键 范德华力
A.A B.B C.C D.D
11.的晶体结构与相似,可以看作是的位置用代替,的位置用代替(如图),晶体中含有的哑铃形使晶胞沿一个方向拉长。设为阿伏加德罗常数的值,下列对于晶体的描述正确的是
A.一个晶胞的质量为 B.的熔点比的熔点低
C.一个晶胞中含有12个 D.与距离最近且相等的共有4个
12.钴的一种化合物的晶胞结构如图所示,下列说法正确的是
A.元素钛在元素周期表中的位置为第四周期V B族
B.Co2+的基态核外电子排布式为1s2 2s2 2p63s2 3p63d54s2
C.与Co2+距离最近的Ti4+有4个
D.该化合物的化学式为CoTiO3
13.图a~d是从NaCl或CsCl晶体结构中分割出来的部分结构图,其中属于从NaCl晶体中分割出来的结构图是
A.a和c B.b和c C.b和d D.a和d
14.NaCl溶于水,溶解过程如图所示。下列说法不正确的是
A.a离子为Cl ,b离子为Na+
B.NaCl在水分子的作用下,Na+和Cl 之间的离子键断裂
C.通电后,NaCl发生电离
D.NaCl溶液导电的原因是溶液中有自由移动的离子
15.已知某离子晶体晶胞如图所示。已知该晶体的密度为ρ g/cm3,摩尔质量为M g/mol,阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法中正确的是
A.该晶胞中阴、阳离子个数均为1
B.其中的阴、阳离子的配位数都是4
C.该晶胞可能是CsCl的晶胞
D.该晶胞中两个阳离子最近的核间距为
二、填空题
16.参考下表中物质的熔点回答有关问题:
物质 NaF NaCl NaBr NaI KCl RbCl CsCl SiCl4
熔点(℃) 995 801 755 651 775 715 646 -70.4
(1)上述物质中,可能属于分子晶体的是____________;
(2)卤离子的半径大小顺序是_________;
(3)上述金属卤化钠随着___________的增大,熔点依次降低;
(4)根据(3)中得出的结论和有关数据,判断Rb+的半径____________Cs+的半径。(填“大于”或“小于”)。
17.已知:离子晶体中与一个离子紧邻的异电性离子的数目称为配位数。
(1)图1是NaCl晶体的晶胞,表示表示。该晶胞中实际含有的数为_______,的配位数是_______。
(2)图2是CsCl晶体的晶胞,表示表示。该晶胞中实际含有的数为_______,的配位数是_______。
(3)图3是的晶胞,位于顶角和面心,位于大立方体对角线处。表示的离子是_______,它的配位数是_______;表示的离子是_______,它的配位数是_______。
三、元素或物质推断题
18.A、B、C、D、E是短周期元素,原子序数依次增大,B、C同周期,C的非金属性在元素周期表中最强,A、D同主族、隔周期,E元素原子最外层的p能级电子数是最外层的s能级电子数的一半。A、B能形成常温常压下两种液态化合物甲和乙,原子个数比分别为2:1和1:1.根据以上信息回答下列问题:
(1)甲、乙两种化合物中含有非极性共价键的物质的电子式是___________,C元素在元素周期表中的位置是___________。
(2)C和D形成的简单离子中,半径较小的是___________(填离子符号)。
(3)将D的单质投入甲中,待D消失后再向溶液中加入E的单质,此时发生反应的化学方程式是___________。
(4)C、D、E可组成离子化合物,其晶胞结构如图所示,阳离子D*(用○表示)位于正方体棱的中点和正方体内部;阴离子(用表示)位于该正方体的顶点和面心。该化合物的化学式是___________。
19.四种短周期元素的性质或结构信息如下表所示,请回答下列问题。
元素 A B C D
性质或结构信息 单质在常温下为固体,难溶于水,易溶于CS2。能形成两种二元含氧酸 原子的M层有1个未成对的p电子,核外p电子总数大于7 单质曾被称为“银色的金子”与锂形成的合金常用于制造航天飞行器。单质能溶于强酸和强碱溶液 原子核外电子层上s电子总数比p电子总数少2。单质和氧化物均为空间网状结构,具有很高的熔、沸点
(1)A原子的最外层电子排布式为_______________,D原子核外共有____________个电子。
(2)写出C的单质与强碱溶液反应的离子方程式:______________________________________________。
(3)A、B两元素的氢化物分子中键能较小的是__________________________(填分子式);分子较稳定的是__________________(填分子式)。
(4)E、D同主族,均为短周期元素。它们的最高价氧化物晶体中熔点较高的是________________。
(5)已知D的单质的晶体结构与SiC的晶体结构相似,其中C原子的杂化方式为______________。SiC与D的单质的晶体的熔、沸点高低顺序是________________。
第1页 共4页 ◎ 第2页 共4页
第1页 共4页 ◎ 第2页 共4页
参考答案:
1.B
【详解】A.冰融化时,水分子没有改变,改变的是分子间的距离,所以分子中H-O键没有发生断裂,A错误;
B.共价晶体中,共价键的键能越大,破坏共价键所需的能量越大,该晶体的熔点越高,B正确;
C.分子晶体熔化或沸腾时,只改变分子间的距离,不需要破坏分子内的共价键,所以该晶体的熔沸点高低与键能无关,C错误;
D.分子晶体中,物质的稳定性与分子内原子间的共价键有关,与分子间作用力无关,D错误;
故选B。
2.A
【详解】碱金属为活泼金属,容易失去电子形成阳离子;卤素单质为活泼非金属单质,容易得到电子形成阴离子;故两者形成的化合物为离子化合物;碱金属的卤化物容易溶于水,水溶液能导电;离子化合物熔融状态能导电;
故选A。
3.D
【详解】A.阴阳离子间存在静电引力和静电斥力,Ca2+与F﹣间存在静电吸引作用,还存在静电斥力,故A错误;
B.离子晶体的熔点与离子所带电荷、离子半径有关,离子半径越小,离子晶体的熔点越高,所以CaF2的熔点高于CaCl2 , 故B错误;
C.晶体的结构与电荷比、半径比有关,阴阳离子比为2:1的物质,与CaF2晶体的电荷比相同,若半径比相差较大,则晶体构型不相同,故C错误;
D.CaF2中的化学键为离子键,离子化合物在熔融时能发生电离,存在自由移动的离子,能导电,因此CaF2在熔融状态下能导电,故D正确;
故选D。
4.B
【详解】A.离子晶体中不一定含有金属元素,含有金属元素的化合物不一定是离子晶体,A错误;
B.含有离子键的化合物一定是离子晶体,离子晶体中可能含有共价键,B正确;
C.离子晶体中可能含有共价键,如过氧化钠,C错误;
D.离子晶体受热熔化时,虽然离子键被破坏,但没有生成新的物质,不属于化学变化,如氯化钠晶体熔化,D错误;
故选:B。
5.B
【详解】A.中含离子键,属于离子晶体,其中中含非极性键,A正确;
B.由于晶胞沿一个方向拉长,故和距离相等且最近的只有4个,且在同一平面上(与拉长方向垂直的面),构成的是正方形,B错误;
C.和距离相等且最近的只有4个,且也在同一平面上(与拉长方向垂直的面),C正确;
D.根据“均摊法”可知,该晶胞中的个数为,的个数为,D正确;
故答案选B。
6.C
【详解】A.由题图晶胞可知,晶胞中氧原子的个数为,铜原子的个数为4,化学式为,A项错误;
B.和都是离子晶体,氧离子的半径小于硫离子的半径,则中的离子键强于,比的熔点高,B项错误;
C.晶体铜原子的堆积方式为面心立方堆积,原子的配位数为12,C项正确;
D.中的价电子排布式为,中的价电子排布式为,为全充满的稳定状态,比稳定,则热稳定性比弱,D项错误;
答案选C。
7.C
【详解】A.与是同一主族元素,元素的金属性:>,若为离子化合物,则可推知也为离子化合物,故A正确;
B.由于半径比半径小,NaCl中的离子键比中的离子键强,离子键越强,断裂离子键消耗的能量就越高,物质的熔点就越高,所以的熔点比高,故B正确;
C.是离子晶体,1个被6个吸引,1个被6个吸引,所以晶体中的配位数为6,在晶体中,1个被8个吸引,1个被8个吸引,所以晶体中的配位数为8,故C错误;
D.NaCl 晶体和CsCl晶体中正负离子半径比不相等,所以两晶体中离子的配位数不相等,即与晶体中离子的配位数不同主要在于离子半径的差异,故D正确;
故答案选C。
8.D
【详解】A.离子晶体在固态时不导电,在水溶液里或熔融后可以导电,但并非所有的离子晶体都易溶于水,如,A错误;
B.易溶于水的也不一定是离子晶体,如。在水溶液里能导电的化合物不一定是离子晶体,如,B错误;
C.不能根据熔点高低判断晶体类型,C错误;
D.判断一种晶体是否为离子晶体的方法大多看它在固态时不导电,熔融状态下能导电,D正确;
故答案选D。
9.A
【详解】利用均摊法计算晶胞的微粒个数可知,镁原子间形成正六棱柱,且棱柱的上、下底面还各有一个镁原子,故一个晶胞中镁原子的个数为;6个硼原子位于棱柱侧面上,故硼原子数为,所以晶胞中镁原子和硼原子的个数比为1∶1,故化学式为,A项正确;
故选A。
10.B
【详解】A.氯化钾属于离子晶体,组成微粒是阴阳离子,晶体微粒间的作用力是离子键,故A正确;
B.干冰属于分子晶体,组成微粒是分子,晶体微粒间的作用力是范德华力,故B错误;
C.金刚石属于原子晶体,组成微粒是原子,晶体微粒间的作用力是共价键,故C正确;
D.碘属于分子晶体,组成微粒是分子,晶体微粒间的作用力是范德华力,故D正确;
答案为B。
11.D
【详解】A.位于晶胞棱心和体心,数目为,位于顶点和面心,数目为,则每个晶胞中含有4个“”,晶胞的质量为,A项错误;
B.的半径比半径小,则的晶格能比晶格能大,即的熔点比的熔点高,B项错误;
C.位于顶点和面心,数目为,则每个晶胞中含有4个“”,C项错误;
D.晶体中含有的哑铃形使晶胞沿一个方向拉长,晶胞为长方体,故与距离相等且最近的共有4个,D项正确;
答案选D。
12.D
【详解】A.元素钛在元素周期表中的位置为第四周期 IV B族,A错误;
B.Co原子失去最外层的两个电子形成Co2+,故Co2+的基态核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d7,B错误;
C.由图可知,与Co2+距离最近的Ti4+有8个,C错误;
D.该晶胞中,Co2+的个数为1,Ti4+的个数为8×=1,O2-的个数为6×=3,则该化合物的化学式为CoTiO3,D正确;
故选D。
13.D
【详解】NaCl晶体是简单立方体结构,每个Na+周围有6个Cl-,每个Cl-周围有6个Na+;与每个Na+等距离的Cl-有6个,且构成正八面体,同理,与每个Cl-等距离的6个Na+也构成正八面体,由图可知,a和d属于从NaCl晶体中分割出来的结构图,故选D。
14.C
【详解】A.因为Cl-的离子半径比Na+的半径小,所以a离子为Cl ,b离子为Na+,故A正确;
B.NaCl在水分子的作用下离解成自由移动的Na+和Cl ,使得Na+和Cl 之间的离子键断裂,故B正确;
C.通电后,NaCl溶液发生电解生成氯气、氢气和氢氧化钠,故C错误;
D.NaCl溶液导电的原因是在水分子的作用下离解成自由移动的Na+和Cl ,在电流的作用下,发生定向移动,故D正确;
故答案:C。
15.D
【详解】A.晶胞中白球位于棱心和体心,晶胞单独占有白球数目=12×+1=4,黑球位于顶点和面心,晶胞单独占有黑球数目=8×+6×=4,故A错误;
B.由晶胞结构,体心的白球周围有6个黑球,每个黑球周围有6个白球,所以晶体中,阴、阳离子的配位数都为6,故B错误;
C.根据均摊法可知,在这个晶胞中阴、阳离子的个数都为4,阴、阳离子的配位数都为6,晶胞结构与NaCl晶胞相同,可能是NaCl的晶胞,CsCl的配位数是8,故C错误;
D.晶胞的棱长是cm,该晶胞中两个阳离子最近的距离是面对角线的一半,则为cm=,故D正确;
故选D。
16.(1)SiCl4
(2)I->Br->Cl->F-
(3)离子半径
(4)小于
【分析】(1)
分子晶体的熔点较低,根据表中数据SiCl4的熔点较低,属于共价化合物,属于分子晶体;
(2)
同主族元素的离子随着原子序数增大,离子半径增大,则卤离子的半径大小顺序是I->Br->Cl->F-;
(3)
离子晶体中,离子半径越大,晶格能越小,熔点越低,则上述金属卤化钠随着离子半径的增大,熔点依次降低;
(4)
同主族元素的离子随着原子序数增大,离子半径增大,则Rb+离子半径大于Cs+离子半径。
17. 4 6 1 8 8 4
【详解】(1)由NaCl晶体的晶胞示意图知:钠离子位于棱边的中点和体心,则该晶胞中实际含有的数为,的配位数是6。
(2)由CsCl晶体的晶胞示意图知:氯离子位于晶胞的顶点,该晶胞中实际含有的数为,的配位数是8。
(3)图3是的晶胞,位于顶角和面心,则数目为,位于大立方体对角线处,则数目为8,二者比值为1:2,则表示的离子是Ca2+,由晶胞示意图知,Ca2+的配位数是8;表示的离子是,它的配位数是4。
18. 第二周期第ⅦA族
【分析】A、B、C、D、E为短周期元素,原子序数依次增大;C的非金属性最强,则C为F元素;A、D同主族、隔周期,则A为H元素,D为Na元素;E的原子最外层p级电子数为最外层s级电子数的一半,又因为E的原子序数比D(Na元素)大,故E的原子最外层电子排布式为3s23p1,则E为Al元素;A、B在常温下能形成原子个数比为2:1和1:1的两种液态化合物,则B为O元素;综上所述,A为H元素,B为O元素,C为F元素,D为Na元素,E为Al元素;甲是,乙是。
【详解】由题意知A为H元素,B为O元素,C为F元素,D为元素,E为元素,甲是,乙是;
(1)甲、乙两种化合物中含有非极性共价键的物质是,的电子式是;C元素是F元素,F元素在元素周期表中的位置是第二周期第Ⅶ A族。
(2)C和D形成的简单离子分别是和,电子排布相同的离子,原子序数越大,离子半径越小,所以半径较小的是;
(3)钠和水反应生成和氢气,和溶液反应生成偏铝酸钠和水,反应的化学方程式为;
(4)阳离子(用O表示)位于正方体棱的中点和正方体内部,晶胞中所含的个数;阴离子位于正方体的顶点和面心,晶胞中所含的个数;阴、阳离子个数比为,化合物中阴离子所带电荷总数与阳离子所带电荷总数相等,所以,则该化合物的化学式为。
19. 3s23p4 14 H2S HCl SiO2(或二氧化硅) sp3 杂化 SiC>Si
【分析】A单质在常温下为固体,难溶于水,易溶于CS2,能形成二元含氧酸的元素是硫;
B原子的M层有1个未成对的p电子,核外p电子总数大于7,电子排布式应是1s22s22p63s23p5,据此推断应为Cl;
C单质能溶于强酸和强碱的短周期元素应为铝;
D原子核外电子层上s电子总数比p电子总数少2,单质和氧化物均为空间网状结构,具有很高的熔、沸点,可知电子排布式应是1s22s22p63s23p2,为硅;以此分析。
【详解】A单质在常温下为固体,难溶于水,易溶于CS2,能形成二元含氧酸的元素是硫;
B原子的M层有1个未成对的p电子,核外p电子总数大于7,电子排布式应是1s22s22p63s23p5,据此推断应为Cl;
C单质能溶于强酸和强碱的短周期元素应为铝;
D原子核外电子层上s电子总数比p电子总数少2,单质和氧化物均为空间网状结构,具有很高的熔、沸点,可知电子排布式应是1s22s22p63s23p2,为硅;
(1)S元素最外层有6个电子,其最外层电子排布式为3s23p4;Si原子核外有14个电子,每个电子的运动状态都不相同,故答案为:3s23p4;14;
(2)单质铝与强碱溶液反应生成偏铝酸根和氢气,离子方程式为,故答案为:;
(3)在氢化物中,HCl分子的键能较大,分子较稳定;H2S分子的键能较小,分子稳定性差,故答案为:H2S;HCl;
(4)CO2是分子晶体,常温下是气态,熔点较低;SiO2是原子晶体,常温下是固态,熔点较高,故答案为:SiO2(或二氧化硅);
(5)晶体硅中1个硅原子与4个硅原子相连,呈正四面体结构,所以其杂化方式是sp3杂化,SiC的晶体结构与晶体硅相似,故C原子的杂化方式也是sp3杂化;因为Si-C键的键长小于Si-Si键,所以熔沸点:碳化硅>晶体硅,故答案为:sp3 杂化;SiC>Si。
【点睛】晶体硅中1个硅原子与4个硅原子相连,呈正四面体结构,所以其杂化方式是sp3杂化。
答案第1页,共2页
答案第1页,共2页