参考答案
一、单项选择题：共 13 题，每题 3 分，共 39 分。每题只有一个选项最符合题意。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
B C C D A C B A B D C B D
二、非选择题：共 4 题，共 61 分
14. （15 分）
（1）B （2 分）
（2）2Na+ +6Fe2+ + 3ClO- +4SO42- +3CO32- + 6H2O = 2NaFe3(SO4)2(OH)6↓+ 3CO2↑+ 3Cl-（3 分）
（3）C（2 分）
2
（4）① “碱溶”形成的 Co NH 在加入 NaOH“沉钴”时可降低 c( Co2 3 )，利于晶体形成6
（2 分,降低 c( Co2 )即给分）
②温度高利于减少溶解氧，形成 NH3气氛隔绝空气，防止产物被氧化（2 分，溶解氧 1 分，
氨气一分）
（5）500 mL CoSO4 溶液中含有 n(CoSO4)=1 mol/L×0.5L=0.5 mol，被氧化后的 n[Co(Ⅲ)]=0.5
0.04 mol
mol×8%=0.04 mol，n(N2H4·H2O)= =0.01mol，m(N2H4·H2O)= 0.01mol 50g/mol=0.5g；4
（2 分）
（6）顺（2 分）
15 （15 分）
（1）硝基、羧基（2 分）
（2）CH2(COOCH3)2（或 ）（2 分）
（3）取代（1 分）
（2 分）
（4） （3 分）
（5） （5 分）
16 （15 分）
（1）①水浴（2 分）
②5.04×103 （3 分）
③反应初始阶段 Ag 浸出速率非常快，一段时间后[Ag(S2O3)2]3-与硫化物反应生成难溶
Ag2S 沉淀。（2 分）
（2）①Cu2S+5MnO2+6H2SO4===2CuSO4+5MnSO4+6H2O （2 分）
②分次加入铜萃取剂萃取 1’，分液后，将水溶液蒸发浓缩至有大量晶体析出 1’，在大于 40℃
条件下趁热过滤 1’，用乙醇洗涤 2-3 次，干燥 1’。 （4 分）
（3）较低初始浓度下，SO32-被 O2 氧化，浓度下降，导致 Ag 再析出。 （2 分）
17 （16 分）
（1）①4NiOOH+2H2O=4Ni(OH)2 +O2↑（2 分）
②2：1 或 2（2 分）
③将储氢后的混合物溶解于盐酸（盐酸、硫酸或醋酸等非氧化性酸）（3 分）
（2）①2CO2+12H++12e-=CH3CH2OH+3H2O（2 分）
②使阴极表面尽可能被 CO2 附着，减少析氢反应的发生（减少氢离子在阴极放电）（2 分）
③13CO2（2 分）
④36（3 分）2025届高三年级12月份化学学科测试试卷
本试卷分选择题和非选择题两部分，全卷满分100分，考试时间75分钟。
注意$项：
1.答题前，考生务必在答题纸姓名栏内写上自己的姓名、考试科目、准考证号等，并用2B铅笔涂写在
答题纸上。
2每小题选出正确答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题号的答策标号涂黑。如需改动，用橡皮擦千净
后，再选涂其他答案。不能答在试题卷上。
3.考试结束，将答题纸交回。
可能用到的相对原子质置：H-1
N-14
0-16
C0-59
I卷（选择题共39分）
单项选择题：共13题，每题3分，共39分。每小题只有一个选项最符合题意。
1我国北斗系统组网成功，北斗芯片中的半导体材料为硅。硅在元素周期表中属于
A.s区
Bp区
c.d区
D.ds区
2.反应11P4十60CuS04+96H20=20Cu3P+24HP04十60H2S04可用于处理不慎沾到皮肤上的白磷。下列
说法正确的是
A.P4分子中的键角为10928
B.S2的结构示意图为6
C.H2O的空间构型为V形
D.基态Cu2+的价层电子排布式为3d84s
3.碳酸氢铵是一种常用氮肥，其制备原理为：CO2十O十N3一NHHCO3,下列相关原理、装置及操
作正确的是
稀疏酸
NH,CI(s)
大理石
浓氨水
A.制取C02(g)·
B.制取NH(g)
C.惻备NH4HCO3(ag)
D.获得H4HCO3(S)
阅读下列材料，回答46题：
元素周期表中皿A族元素(sB、13Al、1G、49血等)的单质及其化合物应用广泛。BF3极易水解，生成
HBF4(HBF4是一种强酸)和刚酸HBO)。高温下A12O3和过量焦炭在氟气的氛图中获得ACL5。已知Ga与
Al的性质相似，Ga微量分散于铝土矿中，在一定条件下Ga和NH可以制得GaN。GaN誉为第三代半导
体材料，具有硬度大、熔点高的特点。已知GN成能结构与金刚石相似，其晶胞结构如下。已知：
GaN、GaP、GaAs的熔，点高，且熔融状态均不导电。
4.下列化学反应表示正确的是
A.Ga和NH合成氮化镓：Ga+2NH=GaN+3H
OQ原子◆N欲子
B.BF3水解的离子方程式：4BF3+3H20一3HBF4十H3BO3
C,制备AC6时发生的反应：2A203十3C+6C2高温4A1Cb十3CO2
D.Ga与NaOH溶液反应的化学方程式：2Ga+2NaOH+6H20一2Na[Ga(OD]+3Ht
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