课件17张PPT。发展历史
生产工艺CPU的发展历史及生产工艺CPU发展史Intel 第一块CPU 4004,4位(字长)处理器, 位宽4bit , 主频108kHz, 运算速度0.06MIPs(每秒百万条指令),集成晶体管2,300个,10微米制造工艺,最大寻址内存640 bytes,生产日期1971年11月.8008,8位处理器,主频200kHz,位宽8bit,运算速度0.06MIPs,集成晶体管3,500个,10微米制造工艺,最大寻址内存16KB,生产日期1972年4月.8080,8位处理器,主频2MHz,位宽8bit,运算速度0.64MIPs,集成晶体管6,000个,6微米制造工艺,最大寻址内存64KB,生产日期1974年4月8085,8位处理器,主频5MHz,运算速度0.37MIPs,集成晶体管6,500个,3微米制造工艺,最大寻址内存64KB,生产日期1976年
Pentium (奔腾)4 (478针),至今分为三种核心:Willamette核心(主频1.5G 起,FSB400MHZ,0.18微米制造工艺),Northwood核心(主频1.6G~3.0G,FSB533MHZ,0.13微米制造工艺, 二级缓存512K),Prescott核心(主频2.8G起,FSB800MHZ,0.09微米制造工艺,1M二级缓存,13条全新指令集SSE3),生产日期2001年7月
Pentium(奔腾) 4 (Willamette核心,423针),主频1.3G~1.7G,FSB400MHZ,0.18微米制造工艺,Socket423接口, 二级缓存256K,生产日期2000年11月
8086,16位微处理器,工作频率4.77MHZ,,位宽16bit,运算速度0.75MIPs,集成晶体管29,000个,3微米制造工艺,最大寻址内存1MB,生产日期1978年6月.8088,准16位微处理器,工作频率 4.77MHZ,位宽(内部16bit/外部8bit),集成晶体管29,000个,3微米制造工艺,最大寻址内存1MB,生产日期1979年6月80286,16位处理器,主频6~25MHZ,位宽16bit,运算速度最高2.66MIPs,集成晶体管134,000个,1.5微米制造工艺,最大寻址内存16MB,生产日期1982年.
80386DX,32位处理器,主频16~33MHZ,位宽32bit,运算速度最高达10MIPs,集成晶体管275,000个,1.5微米制造工艺,最大寻址内存4GB,生产日期1985年10月. Pentium(奔腾) Pro,64位处理器,主频133~200MHZ,位宽32bit,总线频率66MHZ,运算速度达到300~440MIPs,集成晶体管5.5M个,1微米制造工艺,387针Socket8接口,最大寻址内存64GB,缓存16/256kB~1MB,生产日期1995年11月 Pentium(奔腾) II,64位处理器,主频200~MHZ,总线频率66/100MHZ,位宽32bit,运算速度达到560~770MIPs,集成晶体管7.5M个,1微米制造工艺,全新SLOT1接口,最大寻址内存64GB,L1缓存16kB,L2缓存512KB,生产日期1997年3月
Pentium (奔腾)II Xeon(至强),64位处理器,主频400/450MHZ,位宽32bit,总线频率100MHZ,全新SLOT2接口,最大寻址内存64GB,L1缓存16kB,L2缓存512KB~2MB,生产日期1998年Celeron(赛扬)一代, 主频266/300MHZ L2 cache, Covington芯心 (Klamath based),300~533MHz w/128kB L2 cache, Mendocino核心 (Deschutes-based), 总线频率66MHz,0.25微米制造工艺,生产日期1998年4月) Pentium(奔腾) III,64位处理器,主频450MHz,位宽32bit,集成晶体管950万个,0.25~0.18微米制造工艺,生产日期1999~2000年.Pentium(奔腾) III Xeon,分为早期的Tanner核心(0.25微米制造工艺,256KB缓存),后来的Cascades核心(总线频率133MHZ,L2缓存2MB,0.18微米制造工艺),生产日期1999年
Celeron(赛扬)二代,主频533MHZ~1GHZ(Coppermine核心: 1.6V, 总线频率66/100MHZ, L2缓存128K,Socket 370),0.18微米制造工艺,生产日期2000年2001年:英特尔安腾(Itanium)处理器
2002年:英特尔安腾2处理器(Itanium2)
2003年:英特尔 奔腾 M(Pentium M) /赛扬 M (Celeron M)处理器
2005年:Intel Pentium D 处理器
2005年:Intel Core处理器
2006年:Intel Core 2 (酷睿2)/ 赛扬 Duo 处理器
2007年:Intel 四核心服务器用处理器
2007年:Intel QX9770四核至强45nm处理器
2008年:Intel Atom凌动处理器
2009年:Core i5(LGA1156)750/740 处理器
2010年上半年,Intel发布了2010全新Core(酷睿) i5/i3以及六核Core i7 980X,AMD也发布了六核Phenom II X6 1000T系列,两家均完成了今年CPU市场的布局。下半年,Intel/AMD都没有真正意义上的新品发布,但这不代表他们放缓CPU更新换代的脚步,相反他们都在酝酿2011年发布的下一代CPU。这次Intel将更新CPU微架构,AMD则是发布全新的“APU”,都是具有重要意义的产品。CPU的发展也将永无止尽。CPU的生产过程硅提纯
切割晶圆
影印(Photolithography)
蚀刻(Etching)
重复、分层
封装
多次测试不断进步的生产工艺晶圆尺寸
蚀刻尺寸
金属互连层CPU制造工艺前进方向SOI技术
Low K互连层技术
应变硅技术两种泄漏电流门泄漏——电子的一种自发运动,由负极的硅底板通过管道流向正极的门
亚阈泄漏——通过晶体管通道的硅底板进行的电子自发从负极流向正极的运动谢谢观看